Anaïs DréauChercheuse du CNRS au Laboratoire Charles Coulomb (L2C, CNRS / Université Montpellier)
Médaille de bronze du CNRS
Chargée de recherche CNRS en physique au Laboratoire Charles CoulombCNRS/Université de Montpellier dans l’équipe Technologies quantiques à l’état solide, spécialiste des spectroscopies optiques et de spin de défauts atomiques ponctuels dans les matériaux semi-conducteurs
Anaïs Dréau explore et exploite la nature quantique de défauts uniques dans les matériaux semi-conducteursLeur structure cristalline présente parfois des défauts capables de confiner localement les charges et de présenter des propriétés quantiques. qui peuvent se révéler utiles dans le domaine des technologies quantiques émergentes. Après une thèse au Laboratoire de photonique quantique et moléculaire à Cachan en 2013, elle effectue un séjour postdoctoral à l’université de Technologie de Delft aux Pays-Bas, où elle travaille plus particulièrement sur l’utilisation de défauts atomiques du diamant afin de développer une interface spinUn spin est une propriété purement quantique d’une particule, qui n’a pas d’équivalent à notre échelle et qui est ici étudié pour mémoriser l'information quantique. -photon pour les réseaux de communication quantique. En 2016, elle intègre le CNRS au Laboratoire Charles Coulomb à Montpellier et y poursuit ses travaux. À l’aide d’un microscope confocal à froid qu’ellea développé, la physicienne étudie aujourd’hui des défauts atomiques fluorescents dans le silicium - matériau phare de la microélectronique - pour comprendre la richesse de leur photo-physique et évaluer leurs potentialités pour de nouvelles applications quantiques.
