Contrôler électriquement le filtrage en spin dans un transistor tunnel vertical
Résultat scientifique
Contrôler le spin des électrons avec la même souplesse qu'un simple transistor contrôle un courant est l'un des grands objectifs de l'électronique de demain. En particulier pour concevoir des mémoires et des circuits logiques plus rapides et moins gourmands en énergie.
Références :
Electrical Control and High-Bias Enhancement of Magnetoresistance in van der Waals Antiferromagnetic Spin-Filter Tunnel Field-Effect Transistor. Gaurab Samanta, Neeraj K. Rajak, Dorye L. Esteras, Paul Noël, Fedor Lipilin, Mohamed Soliman, Iva Plutnarová, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Jérôme Robert, Arnaud Gloppe, Zdenek Sofer, Jose H. Garcia, Stephan Roche, Jean-Francois Dayen, ACS Nano 2026 - Publié le 7 juillet 2026.
DOI : 10.1021/acsnano.6c03448
Ces recherches ont été menées dans le laboratoire CNRS suivant :
- Institut de physique et chimie des matériaux de Strasbourg (IPCMS, Université de Strasbourg/CNRS)
Contact
Jean-François Dayen
Enseignant-chercheur de l'Université de Strasbourg à l'Institut de physique et chimie des matériaux de Strasbourg (IPCMS)
Communication CNRS Physique