Mesure de densités de charge locales sur un nanocomposant métal-oxyde-semiconducteur actif

Tout semble connu sur le simple condensateur, en particulier celui fait d’oxyde de silicium sur silicium extrêmement utilisé dans les dispositifs à semi-conducteurs. Pourtant le champ électrique d'un tel condensateur n'a jamais été cartographié à l'échelle du nanomètre. Des scientifiques du Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (CEMES, CNRS) ont utilisé l'holographie électronique operando pour mesurer le potentiel électrique à travers un nanocondensateur MOS avec une sensibilité sans précédent, révélant des couches chargées au niveau des interfaces. Ces résultats sont publiés dans la revue Physical Review Letters.